RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link