RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link