RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link