RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 29
    Около 17% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3302

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
модули RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
модули RAM