RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link