RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link