RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link