RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link