RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link