RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link