RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 24
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    19.7 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 20.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 19.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4322

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
модули RAM
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
модули RAM