RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
23.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4565
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link