RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3861
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link