RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3861
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link