RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3840
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Сравнения RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link