RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3726
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link