RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link