RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link