RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3547
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link