RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link