RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link