RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3399
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link