RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3748
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link