RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link