RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3926
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link