RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link