RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link