RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link