RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link