RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3700
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link