RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link