RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link