RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link