RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link