RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link