RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4215
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link