RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link