RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
25.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
25.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link