RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3074
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link