RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
83
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
83
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1752
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link