RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
83
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
83
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1752
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link