RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link