RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link