RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link