RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link