RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link