RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2513
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link