RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link