RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link