RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link