RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link