RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link