RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link