RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
7.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2163
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link