RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link