RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link